Analisis pengujian rangkaian Metal Oxyde Semikonduktor (MOSFET) Dan Cathode Ray Osciloscope (CRO) terhadap hasil karakteristik dari hasil pengukuran

Abstract

Dalam perancangan sebuah sistem elektronika, ada beberapa alat yang harus diperlukan agar alat tersebut bisa berjalan sesuai yangn diinginkan. Salah satu bentuk alat tersebut adalah transistor. Pada pengujian rangkaian ekivalen MOSFET nilai COXdankn.Untuk MOSFET denganW/L = 8 μm/0,8μm, makahargaVGSdanVDSmin yang diperlukan agar transistor bekerja di daerahjenuhCOX = 4,32 fF/µm 2 , Kn = 194 µA/V, Maka untuk bekerja jenuh V DS min = 0,32 V, Maka Mosfet di daerah trioda dengan V DS sangat kecil maka V GS = 1,22 V. Kemudian pada rangkaianMOSFET pada DC sebesar R D = 25 kΩ dan rangkaian MOSFET bekerja di daerah trioda R D =12,4 kΩ maka Maka r DS = 253 Ω .Maka Sinyal tegangan yang akan diperkuat, ditumpangkan pada tegangan dcV IQ . Maka faktor penguatan V DSQ harus lebih kecil dari V DD dan lebih besar dari V sehingga dapat mengakomodasi harga simpangan maksimum dan simpangan minimum dari tegangan keluaran.